Transistoren

C(inch): 1100pF. Kosten): 510pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 102A. Binnendiameter (T=100°C): 19.1A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 670pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Id(imp): 62.4A. Binnendiameter (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Equivalenten: FQD19N10LTM. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.074 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Id(imp): 96A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 30N06L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 44W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 220pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FQD7N10L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.258 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Binnendiameter (T=100°C): 3.67A. Functie: Lage poortlading. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQP12N60C. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 70 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 280 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 225W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1

C(inch): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 72 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. Binnendiameter (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Functie: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1800pF. Kosten): 245pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelsnelheid. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 52A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 195W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Spec info: Lage poortlading (typisch 43nC). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 850pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 66A. Binnendiameter (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 600pF. Kosten): 165pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 78 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 76A. Binnendiameter (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.078 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 76A. Binnendiameter (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 19A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 139W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelend, td(aan)15ns, td(uit)135ns. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET)

C(inch): 1150pF. Kosten): 320pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 127W. Functie: Snel schakelen, Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1400pF. Kosten): 425pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 98 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 174A. Binnendiameter (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 146W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2500pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 182A. Binnendiameter (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 210W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.033 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 210 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQP50N06. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1540pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQP50N06L. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 50 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1630pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 121W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1

C(inch): 515pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: verbeteringsmodus vermogensveldeffecttransistor . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 15nC, lage Crss 6,5pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1420pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 26.4A. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 27nC, lage Crss 10pF. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3170pF. Kosten): 1150pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 300A. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 175 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 205W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.12 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 900V. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 45nC, lage Crss 14pF

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 9.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.36 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 20nC, lage Crss 40,5pF

C(inch): 1570pF. Kosten): 166pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 144 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 44nC, lage Crss 18pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1515pF. Kosten): 185pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 43nC, lage Crss 20pF. G-S-bescherming: NINCS