FQP13N10

FQP13N10. C(inch): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 72 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. Binnendiameter (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Functie: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 05:25.