Transistoren

Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX551. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 300mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX451. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 50pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 240 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.23V. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 30pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 175 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,9V. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX753. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Functie: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX790

Kosten): 30pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,9V. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.17V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX653. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: ZTX758. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 0.5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,9V. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 150. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX690

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 300. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.45V. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,95V

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat)0,92V. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.58W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: ZVN3306F. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 6 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 35pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (max): 0.18A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.7W. Aan-weerstand Rds Aan: 10 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: ZVP2110A. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 100pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: ZVP3306F. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 8 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.0V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 298pF. Kosten): 35pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11.5 ns. Td(aan): 1.9 ns. Technologie: Verbeteringsmodus MOSFET . Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 70V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS