Transistoren

Kosten): 180pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 17. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: J13009. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 180pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 28. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: J13009-2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 619. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 165 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 190 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 480. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 1.5A. Ic(puls): 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) FMMT619. Spec info: zeefdruk/SMD-code 720

Kanaaltype: N-P. Functie: Y4. Markering op de kast: Y4. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing (volgens datablad): SMT5. Aantal per doos: 2

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 5000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) FP1016. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 5A. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP4. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal aansluitingen: 7. Aantal per doos: 1. Spec info: 2SB1121 en SB05-05CP geïntegreerd in één koffer

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65 MHz. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 5000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) FN1016. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diode: ja

Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 3A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): PCP4. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 6. Spec info: Transistor + diode block. CE-diode: ja

C(inch): 1.45pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 39A. Ic(puls): 50A. Ic(T=100°C): 25A. Afmetingen: 56.7x48x12mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 175W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.46 ns. Td(aan): 0.08 ns. Technologie: IGBT hybride module. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.2V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Functie: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Aantal aansluitingen: 33dB. Let op: 7x IGBT+ CE Diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2150pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 730 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: FQA10N80C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 240W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.93 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQA11N90C. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 130 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQA11N90C_F109. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 130 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQA 11N90. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 140 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 340 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 218W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.43 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: DMOS-technologie. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 43nC). G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQA13N80. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 130 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 320 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 155 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1

C(inch): 2800pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. Binnendiameter (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3500pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 96A. Binnendiameter (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.156 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 80 ns. Technologie: DMOS-technologie. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 90nC). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4200pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. Binnendiameter (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 90 ns. Technologie: DMOS-technologie. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 90nC). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1250pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Binnendiameter (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 227W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.067 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: DMOS-technologie. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 40nC). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2550pF. Kosten): 710pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 198 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 144A. Binnendiameter (T=100°C): 25.5A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 294W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.076 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 155 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS-technologie. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Lage poortlading (typisch 81nC). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4830pF. Kosten): 945pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 340 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 298W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.029 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 245 ns. Td(aan): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2500pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 280A. Binnendiameter (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: DMOS-technologie. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Lage poortlading (typisch 85nC). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: FQA9N90C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.7g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-3P. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQAF11N90C. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 130 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 120W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.91 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 30. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)