FQPF10N60C

FQPF10N60C. C(inch): 1570pF. Kosten): 166pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 144 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 44nC, lage Crss 18pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 23:25.