FQP3P50

FQP3P50. C(inch): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 02:25.