Transistoren

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: MOS-N-FET. Binnendiameter (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 2.7A. Aantal aansluitingen: 3. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 200V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Spec info: 0.3us

Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70MHz. Collectorstroom: 500mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: NPN. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-39. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-39. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N1893. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 70 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: GE. FT: 8 MHz. Functie: S-L. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 5A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V

RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 25pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: NPN. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-18. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N2222A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V

C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 0.8A. Let op: complementaire transistor (paar) 2N2907A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-18. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N2222A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Conditioneringseenheid: 5000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: Versterkertransistor. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 0.6A. Markering op de kast: 2N2222A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 25 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( BULK Pack ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V

Weerstand B: ja. BE-diode: NPN-transistor. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-18. Kosten): TO-18. CE-diode: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 500 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 0.2A. Ic(puls): 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 0.6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 0.6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-39. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-39. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N2905A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: versterker, schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Collectorstroom: 0.6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.6A. Let op: >40. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-18. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N2907A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: VHF-versterker

C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Hfe 100. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Collectorstroom: 0.6A. Ic(puls): 0.8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammo-Pack. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-39. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-39. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N3019. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 7V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 7V

Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 60V. Collectorstroom: 15A. Vermogen: 115W. Behuizing: TO-3

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Functie: Audioversterker lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: planaire technologie op epitaxiale basis . Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ2955. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Functie: Audioversterker lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: planaire technologie op epitaxiale basis . Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ2955. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ2955. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N3055G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 115W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor