FQP19N10

FQP19N10. C(inch): 600pF. Kosten): 165pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 78 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 76A. Binnendiameter (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.078 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 02:25.