FQD30N06L

FQD30N06L. C(inch): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Id(imp): 96A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 30N06L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 44W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.