Transistoren

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT558. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 0.2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT849. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT949. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 5.5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Spec info: Zeer lage verzadigingsspanning

C(inch): 1800pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. ID s (min): n/a. Markering op de kast: G60N04K. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Functie: stroomschakeling, DC/DC-converters. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Aantal per doos: 1. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1

C(inch): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Logische niveau-gated transistor. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IDM--80A pulse. G-S-bescherming: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Collectorstroom: 3A. Let op: hFE 100...400. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Spec info: TO-92

C(inch): 1450pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: P. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264 ( 2-21F1C ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: P-kanaal MOS IGBT-transistor. Spec info: audio-versterker. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Functie: Huidige resonantie-omvormerschakeling . Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 400 ns. Td(aan): 30 ns. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P( GCE ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 4650pF. Kanaaltype: N. Functie: Schakeltoepassingen met hoog vermogen. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 60A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.3 ns. Td(aan): 0.09 ns. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Functie: Schakeltoepassingen met hoog vermogen. Collectorstroom: 37A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.51 ns. Td(aan): 0.33 ns. Behuizing: TO-3P( N )IS. Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 25V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA hi-res (F). Collectorstroom: 24A. Ic(puls): 36A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 10V. Aantal per doos: 1. Spec info: 0.17...0.31us. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Markering op de kast: 10N120BND. Pd (vermogensdissipatie, max.): 298W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 165 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: NPT-serie IGBT-transistor met anti-parallelle hypersnelle diode. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.8V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 12N60A4. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 54A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5.6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 167W. Maximale collectorstroom (A): 96A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Productiedatum: 2014/17. Collectorstroom: 54A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Markering op de kast: 12N60A4D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 96 ns. Td(aan): 17 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.6V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Functie: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Collectorstroom: 24A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Markering op de kast: G12N60C3D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 270 ns. Td(aan): 14 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20N60A4. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 70A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 73 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 7V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 290W. Maximale collectorstroom (A): 280A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Behuizing (JEDEC-standaard): 35 ns. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20N60A4D. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 70A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 73 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 7V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 290W. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. Maximale collectorstroom (A): 280A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Behuizing (JEDEC-standaard): UFS Series IGBT. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: HG20N60B3. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 40A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 25 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 220 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 165W. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Maximale collectorstroom (A): 160A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Markering op de kast: G20N60B3D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 165W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Spec info: Typische valtijd 140 ns bij 150°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: SMPS Series IGBT. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: G30N60A4. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 463W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: TO-247. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 30 ns. Functie: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: 30N60A4D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 463W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N-P. Functie: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 137 ns. Td(aan): 36ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.45V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.2V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 300A. Ic(T=100°C): 63A. Markering op de kast: 40N60A4. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 145 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS