FQB27P06TM

FQB27P06TM. C(inch): 1100pF. Kosten): 510pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 102A. Binnendiameter (T=100°C): 19.1A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 02:25.