FQD7N10L

FQD7N10L. C(inch): 220pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FQD7N10L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.258 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Binnendiameter (T=100°C): 3.67A. Functie: Lage poortlading. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 02:25.