Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 301. Afvoerbronspanning Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 301. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 8 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 9.5pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 303. Afvoerbronspanning Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 63pF. Kosten): 34pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): opbouwcomponent (SMD). Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.5A. Binnendiameter (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 304. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 25V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Bedieningspoortspanning zo laag als 2,5 V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: IGBT-transistor. Collector-emitter-spanning: 1200V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FGA40N65SMD. Collector-emitterspanning Uce [V]: 650V. Collectorstroom Ic [A]: 40A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 120ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 174W. Maximale collectorstroom (A): 60.4k Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 2915pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 47ms. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 104 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Field Stop IGBT . Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Zonne-omvormer, UPS, Lasstation, PFC, Telecom, ESS. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 940pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Markering op de kast: FGB20N60SF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 90 ns. Td(aan): 12 ns. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2-PAK. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 2. Functie: omvormer voor zonne-energie, UPS, lasapparaat, PFC. Let op: N-kanaal MOS IGBT-transistor. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2110pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Markering op de kast: FGH40N60SFD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 115 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1880pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 70 ns. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 349W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 92 ns. Td(aan): 12 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Zonne-omvormer, UPS, Lasstation, PFC, Telecom, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2110pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 112 ns. Td(aan): 24 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2820pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 47 ns. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: FGH60N60SFD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 378W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 134 ns. Td(aan): 22 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2820pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: FGH60N60SF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 378W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 134 ns. Td(aan): 22 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2915pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 30 ns. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: FGH60N60SMD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 18 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-264. Behuizing (JEDEC-standaard): plastic buis. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FGL40N120AND. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 40A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5.5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 500W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 20 ns. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264-3L. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V...3.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 25V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7.5V. Maximale collectorstroom (A): 160A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Horizontale afbuiging van hoogspanningskleurendisplay . Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: J6810. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: zeefdruk . Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: J6810A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf (type): 0.2us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Hoge V-kleurendisplay Hor Defl (met demperdiode) . Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: J6810D. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: zeefdruk J6810. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diode: ja

Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Horizontale afbuiging van hoogspanningskleurendisplay . Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: J6812. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gezeefdrukt J6812. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diode: ja

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 17A. Markering op de kast: J4315O. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) FJL4215-O

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: 19 inch-monitor. Spec info: VEBO 6V

Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Horizontale afbuiging van hoogspanningskleurendisplay . Maximale hFE-versterking: 8.5. Minimale hFE-versterking: 5.5. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 30A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 25

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: schakelcircuits. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 300mA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: J13007. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 28. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: J13007-1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 39. Minimale hFE-versterking: 26. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: J13007-2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS