FQP33N10

FQP33N10. C(inch): 1150pF. Kosten): 320pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 127W. Functie: Snel schakelen, Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 02:25.