Transistoren

C(inch): 750pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Id(imp): 22.8A. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 08N50C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 60 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 560V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 48 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 215pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dv/dt gewaardeerd Verbeteringsmodus. Id(imp): 37A. Binnendiameter (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: SPD09N05. Pd (vermogensdissipatie, max.): 24W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.093 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

C(inch): 790pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 32 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Id(imp): 112A. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: 28N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 85m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 06N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 750 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Productiedatum: 2015/05. Id(imp): 14.6A. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 07N60S5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: 08N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): PG-TO220-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Functie: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 10N10. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 426pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 11N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1460pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 650ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 22A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: 11N60S5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 11A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Functie: ID pulse 33A. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 51A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: SPP17N80C2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

C(inch): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 51A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 17N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 77 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 230pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dv/dt gewaardeerd Verbeteringsmodus. G-S-bescherming: diode. Id(imp): 74.8A. Binnendiameter (T=100°C): 13.2A. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 18P06P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 81W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.102 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

C(inch): 2400pF. Kosten): 780pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 62.1A. Binnendiameter (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 20N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 67 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): P-TO220-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3000pF. Kosten): 1170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 20N60S5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 120ns. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N06L11. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 68 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 158W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 11N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 51A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 17N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 77 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20N60C3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.9V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 208W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 20A. Vermogen: 208W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.19 Ohms. Behuizing: PG-TO247 HV. Afvoerbronspanning (Vds): 600V