Transistoren

C(inch): 510pF. Kosten): 47pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (max): 4A. Markering op de kast: D4NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.76 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 545pF. Kosten): 45pF. Kanaaltype: N. Aantal kanalen: 1. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. Binnendiameter (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 5uA. Markering op de kast: 5N52K3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 525V. Poort-/bronspanning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: Schakeltoepassingen, poortlading geminimaliseerd, lage IDSS. Spec info: Enhancement type. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 529pF. Kosten): 71pF. Kanaaltype: N. Aantal kanalen: 1. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 5N52U. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.25 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 23.1 ns. Td(aan): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 525V. Poort-/bronspanning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: Schakelapplicaties, Gate-lading geminimaliseerd. Spec info: Enhancement type. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kosten): 24.6pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 213 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 7NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.84 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. C(inch): 363pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 460W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Elektrische isolatie: 2500V (AC-RMS). Td(aan): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Tf (type): 38 ns. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Tr: 70 ns. Bedrijfstemperatuur: -65...150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: ±30V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja

C(inch): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 11NM60ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 870pF. Kosten): 50pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13N80K5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 42 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. Binnendiameter (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1000pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. Binnendiameter (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 18NM60. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: F3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220FP. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F5NK100Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1154pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 950 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: F9NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 452pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 324 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100mA. ID s (min): 1mA. Markering op de kast: 9NM60N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.63 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52.5 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 26A. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 610pF. Kosten): 65pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 50 ns. Functie: lichtdimmer, statisch relais, motordriver. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 7A. Markering op de kast: GF10NB60SD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 1.2 ns. Td(aan): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.35V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: Lage spanningsval (VCE(sat)). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 380pF. Kosten): 46pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35 ns. Functie: Hoogfrequente motorbesturingen. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 30A. Ic(T=100°C): 10A. Markering op de kast: GP10NC60KD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 17 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Kortsluiting is bestand tegen tijd 10us. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2200pF. Kosten): 225pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 44 ns. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: GW20NC60VD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 31 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.75V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.75V. Functie: hoogfrequente omvormers, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2510pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35 ns. Productiedatum: 201509. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 135A. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: GW30NC120HD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 275 ns. Td(aan): 29 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.75V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 25V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.75V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.75V. Functie: hoge stroomcapaciteit, hoge ingangsimpedantie. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 4550pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Hoogfrequente werking tot 50 kHz. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Markering op de kast: GW40NC60V. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 43 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.75V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1350pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snelle MOSFET-transistor. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: H8NA60FI. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Verbeteringsmodus . Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Viso 4000V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 150pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. Binnendiameter (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4NF20L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 10.4 ns. Td(aan): 2 ns. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 4. Collectorstroom: 1.5A. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: N83003. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 1000. Spec info: complementaire transistor (paar) STN93003. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 215pF. Conditionering: rol. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: Snel schakelende NPN-vermogenstransistor met lage spanning. Maximale hFE-versterking: 350. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.32V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 1000. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Conditionering: rol. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 0.5A. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: N9260. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 150 ns. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: PNP. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Vebo: 7V. Functie: snel schakelende hoogspanning, PNP-vermogenstransistor. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 4. Collectorstroom: 1.5A. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: N93003. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 1000. Spec info: complementaire transistor (paar) STN83003. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 5955pF. Kosten): 244pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 38 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 400A. Binnendiameter (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: 100N8F6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 176W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 103 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 80V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS