SPD28N03L

SPD28N03L. C(inch): 790pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 32 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Id(imp): 112A. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: 28N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 23:25.