Transistoren

Functie: 9.31k Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 20V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

C(inch): 985pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 14 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge kant schakelaar . Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 196k Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29.8W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0075 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Behuizing: PowerPAK SO-8. Behuizing (volgens datablad): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: module. Configuratie: Geschroefd. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SK85MH10. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 120ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 570 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 9100pF. Componentfamilie: volledige MOSFET-brug, NMOS. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

C(inch): 5000pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Functie: IGBT met hoog vermogen. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Aantal aansluitingen: 7. RoHS: ja. Td(uit): 450 ns. Td(aan): 30 ns. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Let op: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 23.1pF. Kosten): 1.9pF. Kanaaltype: N. Functie: IGBT met hoog vermogen. Collectorstroom: 470A. Ic(puls): 600A. Ic(T=100°C): 330A. Afmetingen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 650 ns. Td(aan): 330 ns. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1100pF. Kosten): 107pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Functie: Snelle S-IGBT in NPT-technologie. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 179W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 445 ns. Td(aan): 36ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: K20N60. CE-diode: ja

C(inch): 1150pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 280 ns. Functie: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Collectorstroom: 46A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 20A. Markering op de kast: K25N120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 313W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 730 ns. Td(aan): 45 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. CE-diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: K30N60HS. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Maximale collectorstroom (A): 112A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 106 ns. Td(aan): 16 ns. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V

C(inch): 11pF. Kosten): 1.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 0.5A. Markering op de kast: s1D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Functie: hoogspanningsversterker, SMD-versie van MPSA42. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) SMBTA92. Spec info: zeefdruk/SMD-code S1D. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A6A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.24W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

C(inch): 8180pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 630 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verhoogde MOSFET dv/dt-robuustheid . Id(imp): 267A. Binnendiameter (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 5uA. Markering op de kast: 6R041P6. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 481W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.041 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Markering op de kast: TB. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.017...0.025 Ohms

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SP8M4FU6TB. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 790pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 21.9A. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 07N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220 (PG-TO220FP). Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 07N60C3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.9V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 790pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 32W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: 08N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: geïsoleerde behuizing (2500VAC, 1 min). Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 11N65C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 11N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 41W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 16N50C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 560V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 32A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Markering op de kast: 56N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

C(inch): 4480pF. Kosten): 1580pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 195 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbeteringsmodus . Id(imp): 320A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N04H4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 46 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS