SPD09N05

SPD09N05. C(inch): 215pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dv/dt gewaardeerd Verbeteringsmodus. Id(imp): 37A. Binnendiameter (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: SPD09N05. Pd (vermogensdissipatie, max.): 24W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.093 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 08:25.