SPP04N60C3XKSA1

SPP04N60C3XKSA1. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 08:25.