Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 540pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kosten): 9pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 1.5A. Markering op de kast: S8050 C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 (Ammo-Pack). Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 11pF. Kosten): 1.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.28V. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

BE-weerstand: 4. Kosten): 3pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Klasse B push-pull-bediening. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Spec info: uitstekende hFE-lineariteit. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 95pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Klasse B push-pull-bediening. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Spec info: uitstekende hFE-lineariteit. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Kosten): 28pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Klasse B push-pull-bediening. Maximale hFE-versterking: 135. Minimale hFE-versterking: 96. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.16V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: uitstekende hFE-lineariteit. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 270 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.45W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 1750pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 440 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1150pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 415 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 28A. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 8A. Markering op de kast: 13005A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 16. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: 13007A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-weerstand: 50. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 12A. Markering op de kast: ST13009L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Functie: hFE 15...28. Aantal per doos: 1. Spec info: ST13009L. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Kosten): 122pF. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 3850pF. Kosten): 650pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 120N4F6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: Schakelapplicaties, Automotive. G-S-bescherming: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Functie: Middelgrote eindversterker. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 82. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) STD1862

C(inch): 940pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 340 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 60 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (met snelle diode). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 470pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D10NF10. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.115 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Lage poortlading STRipFET™ II Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 540pF. Kosten): 44pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 10NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.53 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 340pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 7.2A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 10P6F6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 64 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: Lage poortlading STRipFET™ II Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 790pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50mA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 75. G-S-bescherming: ja

C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50mA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2000. G-S-bescherming: ja

C(inch): 310pF. Kosten): 49pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. Binnendiameter (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (max): 3A. Markering op de kast: D4NK50Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 500V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja