Transistoren

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. Binnendiameter (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 20uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 80V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4532ADY-T1-E3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23/21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.13W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 340pF. Kosten): 67pF. Kanaaltype: N-P. Trr-diode (min.): 30 ns. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4532CDY-T1-E3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 305/340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.14W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4559EY. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4800B. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0155 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, krachtige MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2000pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0074 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 60 ns. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (max): 7.1A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: P. Binnendiameter (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 7.3A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.024 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 2. Functie: td(on) 10ns, td(off) 45ns

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Markering van de fabrikant: SI4946BEY-T1-E3

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4946EY-T1-E3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: P. Conditionering: rol. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 50 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 2. Conditioneringseenheid: 2500

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4948BEY-T1-GE3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. ID s (min): 1nA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI9410BDY-E3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (max): 5.3A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: V-MOS. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: (G-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Functie: 9.31k Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 30V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI9936BDY. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 550pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SMD. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: 9.31k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. Idss (max): 3.2A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 60V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI9953DY. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C