SPD08P06P

SPD08P06P. C(inch): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 48 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 08:25.