SPP18P06P

SPP18P06P. C(inch): 230pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dv/dt gewaardeerd Verbeteringsmodus. G-S-bescherming: diode. Id(imp): 74.8A. Binnendiameter (T=100°C): 13.2A. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 18P06P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 81W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.102 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 08:25.