SPP20N60C3

SPP20N60C3. C(inch): 2400pF. Kosten): 780pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 62.1A. Binnendiameter (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 20N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 67 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): P-TO220-3-1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.