SPP08P06P

SPP08P06P. C(inch): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): PG-TO220-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Functie: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.