Transistoren

C(inch): 530pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Let op: zeefdruk/SMD-code 365P. Markering op de kast: 365 P. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): SUPERSOT-6. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 35V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Omvormers, voedingen. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SUPERSOT-6. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Afvoerbronspanning Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23/6. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: .638. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 33 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N-P. Markering op de kast: 420. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): SUPERSOT-6. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 6. Functie: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Let op: zeefdruk/SMD-code 420

C(inch): 700pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Let op: zeefdruk/SMD-code 642. Markering op de kast: 642. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 120ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): SUPERSOT-6. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Functie: lastschakelaar, batterijbescherming. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 630pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 250uA. Let op: zeefdruk/SMD-code FDC642P. Markering op de kast: FDC642P. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0525 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 23.5 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: SSOT. Behuizing (volgens datablad): SUPERSOT-6. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Functie: lastschakelaar, batterijbescherming. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2085pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High performance greppeltechnologie . Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 58A. Idss (max): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Markering op de kast: FDD4141. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 69W. Aan-weerstand Rds Aan: 12.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 38 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: extreem lage RDS(aan)-weerstand. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. C(inch): 759pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): opbouwcomponent (SMD). Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 45A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Markering op de kast: FDD5614P. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.076 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FDD5690. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1110pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 25 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0088 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1715pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 43 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1400pF. Kosten): 317pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 59A. Markering op de kast: FDD6635. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5070pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 8.2M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 69 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1715pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 43 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 575pF. Kosten): 64pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56.4 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 1uA. Let op: High performance trench technology. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 56.8W. Aan-weerstand Rds Aan: 61m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15.8 ns. Td(aan): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extreem lage RDS(aan)-weerstand. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 22 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FDD8447L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 44W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.085 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 38 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Snel schakelen, omvormers, voedingen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 880pF. Kosten): 195pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 23 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 39 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer en UPS-omvormers. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FDH45N50F. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 140 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 215 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6630pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: dubbele N-kanaal MOSFET-transistor, 30V, PowerTrench-MOSFET . Behuizing: SMD. Behuizing (volgens datablad): Power-56-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 2. Functie: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 306. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 61 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1138pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 451pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Batterijbeheer. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (max): 0.1uA. ID s (min): n/a. Let op: zeefdruk/SMD-code 338. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.088 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Specified PowerTrench MOSFET. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V

C(inch): 182pF. Kosten): 56pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 358. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 618. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 16.5 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 430pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 2200pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 235W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS