Transistoren

Kanaaltype: N. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 79A. Vermogen: 310W. Behuizing: TO-220AB. Functie: DC/DC-spanningsomvormer en UPS-omvormers. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Afvoerbronspanning (Vds): 150V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer en UPS-omvormers. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2880pF. Kosten): 3990pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 62 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer en UPS-omvormers. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 945pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 46A. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.46 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Lage poortlading (typisch 23nC), lage Crss 14pF. G-S-bescherming: ja

C(inch): 480pF. Kosten): 66pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Lage poortlading (typisch 11nC), lage Crss 5pF. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 720pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Lage poortlading (typisch 12nC), lage Crss 9pF. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1604pF. Kosten): 408pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 13 ns. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-kanaal. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2010pF. Kosten): 590pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 100 ns. Td(aan): 12 ns. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-kanaal. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1385pF. Kosten): 275pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: acculaadregelaar. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-kanaal. Spec info: HBM ESD-beschermingsniveau van 3,8 kV. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N-P. Conditionering: rol. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: N-kanaaltransistor (Q1), P-kanaaltransistor (Q2)

Kanaaltype: P. Functie: Dual P-kanaal MOSFET PowerTrench 30V. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 2. Technologie: P-kanaal. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

Kanaaltype: P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Technologie: P-kanaal. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: FDS6670A. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2220pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2470pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. Markering van de fabrikant: Uitgebreid VGS-bereik (-25V) voor toepassingen op batterijen. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 120ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

C(inch): 2890pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. Binnendiameter (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 1uA. ID s (min): n/a. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 210 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1205pF. Kosten): 290pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 9.8m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: logische niveauregeling. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): 8.2A. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: FDS6900AS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 570pF/600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: FDS6912. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 740pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 475pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 19m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 5 ns. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)

C(inch): 760pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N-P. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: dubbele MOSFET-transistor, N- en P-kanalen, PowerTrench . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Functie: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: FDS9435A. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 528pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. Td(aan): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 15 ns. Binnendiameter (T=100°C): 5.4A. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.030 Ohms. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: P. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.075 Ohms