FDD770N15A

FDD770N15A. C(inch): 575pF. Kosten): 64pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56.4 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 1uA. Let op: High performance trench technology. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 56.8W. Aan-weerstand Rds Aan: 61m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15.8 ns. Td(aan): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extreem lage RDS(aan)-weerstand. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 00:25.