FDD6612A

FDD6612A. C(inch): 1715pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 43 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.