Transistoren

C(inch): 1802pF. Kosten): 415pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 1uA. Markering op de kast: P3020LS. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0116 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 46 ns. Td(aan): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Diversen: Hoge schakelsnelheid, lage ingangs-/uitgangslekkage. Functie: Lage inschakelweerstand, lage poortdrempelspanning, lage ingangscapaciteit. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 14. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing (volgens datablad): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 14

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Digitale transistor (voorspanningsweerstand ingebouwd). Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 14. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 14

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Digitale transistors (ingebouwde weerstanden). Collectorstroom: 0.1A. Markering op de kast: 15. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 15. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SC-72. Behuizing (volgens datablad): SC-72 ( D143 ). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V

Weerstand B: 4.7k Ohms. BE-weerstand: 47k Ohms. Kosten): 3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Met PNP-weerstand uitgeruste transistor. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 19. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: 10k Ohms. BE-weerstand: 10k Ohms. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: DTR.. Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 24. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Vermogen: 0.2W. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SC-59. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 24. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: 4.7k Ohms. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 100mA. Let op: zeefdruk/SMD-code 33. Markering op de kast: *33, P33, t33, w33. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Productiedatum: 2014/49. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 18. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 10V

Weerstand B: 47k Ohms. BE-weerstand: 47k Ohms. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.03A. Markering op de kast: 26. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 26. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collectorstroom: 0.1A. Vermogen: 0.3W. Maximale frequentie: 250MHz. Behuizing: SC-72. BE-weerstand: 47k+22k Ohms

Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(inch): 900pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Diversen: HIFI-eindversterker. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.1V. Spec info: complementaire transistor (paar) ECW20P20. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(inch): 1850pF. Kosten): 850pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Diversen: HIFI-eindversterker. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 105 ns. Td(aan): 150 ns. Technologie: P-kanaal MOSFET-vermogenstransistor. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.1V. Spec info: complementaire transistor (paar) ECW20N20. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(inch): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Diversen: HIFI-eindversterker. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.15V. Spec info: complementaire transistor (paar) ECX10P20. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(inch): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Diversen: HIFI-eindversterker. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 100 ns. Technologie: P-kanaal MOSFET-vermogenstransistor. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.15V. Spec info: complementaire transistor (paar) ECX10N20. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Power Darlington NPN-transistormodule. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 300. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 150A. Let op: Geschroefd. Aantal aansluitingen: 4. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Type transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: ISOTOP. Configuratie: Geschroefd. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: ESM6045DV. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Collectorstroom Ic [A], max.: 84A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1148pF. Kosten): 671pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 119 ns. Td(aan): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 11A. Vermogen: 36W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. Behuizing: TO-220F. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.33 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Afvoerbronspanning (Vds): 650V

C(inch): 1495pF. Kosten): 235pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 490 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. Binnendiameter (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FDA16N50. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 205W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.31 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Lage poortlading. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2280pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: FDA24N40F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 235W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3P. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FDA50N50. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 220 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 460 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6460pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 3090pF. Kosten): 630pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 392W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.041 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3570pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. Binnendiameter (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 480W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.034 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0087 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS