FDD6635

FDD6635. C(inch): 1400pF. Kosten): 317pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 59A. Markering op de kast: FDD6635. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.