FDD5614P

FDD5614P. RoHS: ja. C(inch): 759pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): opbouwcomponent (SMD). Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 45A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Markering op de kast: FDD5614P. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.076 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 22:25.