FDD4141

FDD4141. C(inch): 2085pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High performance greppeltechnologie . Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 58A. Idss (max): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Markering op de kast: FDD4141. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 69W. Aan-weerstand Rds Aan: 12.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 38 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: extreem lage RDS(aan)-weerstand. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 29/01/2025, 22:25.