FDP18N50

FDP18N50. C(inch): 2200pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 235W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.