Transistoren

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: V-MOS. ID (T=25°C): 3.2A. Idss (max): 3.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 4.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.6 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1

C(inch): 734pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 120ns. Technologie: P-kanaal MOSFET-vermogenstransistor. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.15V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: complementaire transistor (paar) BUZ901. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Technologie: TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 600V

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 400V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 80W. Maximale frequentie: 4MHz. Behuizing: TO-220AB (MJE13007)

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v

C(inch): 40pF. Kosten): 14pF. Kanaaltype: N. Functie: Dubbele IGBT-transistor (geïsoleerd). Collectorstroom: 200A. Ic(puls): 400A. Ic(T=100°C): 200A. Afmetingen: 108x62x31mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1500W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 300 ns. Td(aan): 250 ns. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 6V. Aantal aansluitingen: 7. Spec info: Schakelen met hoog vermogen. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 70V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: complementaire transistor (paar) CSD1133

C(inch): 260pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1uA. Aantal aansluitingen: 6. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 17W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 4.2 ns. Td(aan): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Behuizing: WSON6. Behuizing (volgens datablad): Kunststof behuizing van 2 mm x 2 mm. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kosten): 130pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: D44H11. Equivalenten: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) D45H11. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D44H11G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D44H8. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D44H8G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: S-L, Low-sat. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 90 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) D45VH10. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Equivalenten: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: paar D44H11. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D45H11G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 40 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D45H8G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 40 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -15A. Vermogen: 83W. Maximale frequentie: 50 MHz. Behuizing: TO–220AB

RoHS: ja. Apparaatfamilie: Gereedschap. Gereedschapstype: assortiment van 24 gereedschappen

C(inch): 37pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 600A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 600A. Afmetingen: 172x89x37mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3350W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.7 ns. Td(aan): 0.21 ns. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.8V. Aantal aansluitingen: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Functie: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: C3025LS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.2V/-2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 590/631pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Componentfamilie: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C