Transistoren

C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Zenerdiode-bescherming. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220FP. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P10NK80ZFP. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1250pF. Kosten): 210pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 42.8A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Viso 2000VDC. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P11NK40Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 930pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 11NM60ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 612 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: P11NM80. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5200pF. Kosten): 785pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 152 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. Binnendiameter (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P120NF10. Pd (vermogensdissipatie, max.): 312W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 132 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P12NM50. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P12NM50FP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 460pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 56A. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P14NF12. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 120V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P14NK50ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Zenerdiode-bescherming. G-S-bescherming: ja

C(inch): 315pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P16NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.08 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 7 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden, lage poortlading. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 345pF. Kosten): 72pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.08 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Low Gate Charge. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5100pF. Kosten): 1270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 200N4F3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: schakelen, automobieltoepassingen. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGHdv/dtCAP. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: II Power Mos. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 1. Let op: Low Gate Charge

C(inch): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P20NM60FD. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 192W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Lage poortcapaciteit. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1500pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P20NM60FP. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 870pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 100us. Diodedrempelspanning: 1.5V. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P24NF10. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 26NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.135 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS