STP10NK80Z

STP10NK80Z. C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Zenerdiode-bescherming. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 03:25.