STP13NM60N

STP13NM60N. C(inch): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 03:25.