STP12NM50

STP12NM50. C(inch): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P12NM50. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 03:25.