Transistoren

C(inch): 1180pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 110us. Diodedrempelspanning: 1.3V. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 690pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P36NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 27 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Functie: trr 65ns, efficiënte dv/dt

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 1. Functie: trr 65ns, efficiënte dv/dt

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P36NF06L. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 660pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 60.4k Ohms

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 2.9A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 600V

C(inch): 400pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NB60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 11 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 440pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 10.4A. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.6 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 3.5A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMESH III. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 900V

Kanaaltype: N. Behuizing: TO-220FP. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 2.4A. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Afvoerbronspanning (Vds): 600V

C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeer hoge dv/dt-verhouding, voor schakeltoepassingen. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 590pF. Kosten): 63pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 12A. Binnendiameter (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 4.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Spanning Vds(max): 800V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P4NK50Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 310pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.76 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor

C(inch): 3050pF. Kosten): 380pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 220A. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P55NE06. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 30 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 75 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 200A. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P55NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1700pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 220A. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P55NF06L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40ms. Td(aan): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P5NK100Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1154pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 690pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 485 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+ °C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja

C(inch): 910pF. Kosten): 98pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Id(imp): 17.2A. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 4.3A. Vermogen: 110W. Behuizing: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Afvoerbronspanning (Vds): 800V. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1810pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 73ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 240A. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Kosten): 360pF. Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS