STP200N4F3

STP200N4F3. C(inch): 5100pF. Kosten): 1270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 200N4F3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: schakelen, automobieltoepassingen. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 03:25.