STP20NM60FD

STP20NM60FD. C(inch): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P20NM60FD. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 192W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Lage poortcapaciteit. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 03:25.