N-kanaaltransistor, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP11NM80

N-kanaaltransistor, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP11NM80. N-kanaaltransistor, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 612 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: P11NM80. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 17:25.