Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P60NF06L. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 35 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. Spec info: lage poortlading, VGS(th) 1...2,5V

C(inch): 1330pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: volledig beschermd. Id(imp): 248A. Binnendiameter (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Markering op de kast: P62NS04Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 12.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 33V. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 70us. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 240A. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P65NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK90ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 3700pF. Kosten): 730pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 132 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P75NF75. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0095 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 66 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 6.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMesh. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1

C(inch): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P7NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Spec info: Zener-Protected. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P7NK80Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1138pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Behuizing: TO-220FP. Type transistor: MOSFET. Functie: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . Id(imp): 20.8A. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P7NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Vgs(th) min.: 3.75V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 5.2A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.8 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Afvoerbronspanning (Vds): 800V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P80NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P80NF10. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 116 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 4300pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P80NF12. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 134 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 120V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: motorbediening, audioversterker. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2550pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 392A. Binnendiameter (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 80NF70. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0098 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 68V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5500pF. Kosten): 1130pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 80A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 165 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2350pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 680 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 700V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1320pF. Kosten): 143pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P8NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMesh. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1

C(inch): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 238 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK50Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 238 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK50ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1us. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P9NK60Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1100pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C