SSS10N60A

SSS10N60A. C(inch): 1750pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 440 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.