STB120N4F6

STB120N4F6. C(inch): 3850pF. Kosten): 650pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 120N4F6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: Schakelapplicaties, Automotive. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 05:25.