STB12NM50ND

STB12NM50ND. C(inch): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (met snelle diode). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 05:25.