N-kanaaltransistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V - STB12NM50ND

N-kanaaltransistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V - STB12NM50ND. N-kanaaltransistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. C(inch): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50ND. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (met snelle diode). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 25/07/2025, 15:25.