Elektronische componenten en apparatuur, voor bedrijven en particulieren

STB12NM50N

STB12NM50N
Hoeveelheid excl. BTW incl. BTW
1 - 4 4.70€ 5.69€
5 - 9 4.47€ 5.41€
10 - 24 4.23€ 5.12€
25 - 49 4.00€ 4.84€
50 - 99 3.90€ 4.72€
100+ 3.67€ 4.44€
Hoeveelheid U.P
1 - 4 4.70€ 5.69€
5 - 9 4.47€ 5.41€
10 - 24 4.23€ 5.12€
25 - 49 4.00€ 4.84€
50 - 99 3.90€ 4.72€
100+ 3.67€ 4.44€
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Geen voorraad meer
Set van 1

STB12NM50N. C(inch): 940pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 340 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 60 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.

Gelijkwaardige producten :

Hoeveelheid in voorraad : 80
STB12NM50ND

STB12NM50ND

C(inch): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Id(...
STB12NM50ND
C(inch): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (met snelle diode). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS
STB12NM50ND
C(inch): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (met snelle diode). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS
Set van 1
5.38€ incl. BTW
(4.45€ excl. BTW)
5.38€

Wij raden ook aan :

Hoeveelheid in voorraad : 3536
CEL100UF63VESR-B

CEL100UF63VESR-B

Gelijkspanning: 63V. Capaciteit: 100uF. Diameter: 10mm. Lengte: 16mm. Impedantie: 0.14 Ohms. Configu...
CEL100UF63VESR-B
[LONGDESCRIPTION]
CEL100UF63VESR-B
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.27€ incl. BTW
(0.22€ excl. BTW)
0.27€

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Abonneer u op de nieuwsbrief

Ik ga akkoord met het ontvangen van e-mails en ik begrijp dat ik me na registratie op elk moment kan uitschrijven.

Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.