Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 4.70€ | 5.69€ |
5 - 9 | 4.47€ | 5.41€ |
10 - 24 | 4.23€ | 5.12€ |
25 - 49 | 4.00€ | 4.84€ |
50 - 99 | 3.90€ | 4.72€ |
100+ | 3.67€ | 4.44€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.70€ | 5.69€ |
5 - 9 | 4.47€ | 5.41€ |
10 - 24 | 4.23€ | 5.12€ |
25 - 49 | 4.00€ | 4.84€ |
50 - 99 | 3.90€ | 4.72€ |
100+ | 3.67€ | 4.44€ |
STB12NM50N. C(inch): 940pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 340 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 60 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.