STD13NM60N

STD13NM60N. C(inch): 790pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.